Üretici Ürün Numarası:
GT110N06S
Product Overview
Üretici:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Parça Numarası:
GT110N06S-DG
Açıklama:
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
Detaylı Açıklama:
N-Channel 60 V 14A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Envanter:
5028 Adet Yeni Orijinal Stokta
12974570
Teklif İste
Miktar
Minimum 1
Minimum 1
swB3
(*) zorunludur
24 saat içinde sizinle iletişime geçeceğiz
24 saat içinde sizinle iletişime geçeceğiz
GÖNDER
GT110N06S Teknik Özellikler
Kategori
FET'ler, MOSFET'ler, Tek FET'ler, MOSFET'ler
Üretici
Goford Semiconductor
Paketleme
Tape & Reel (TR)
Silsile
SGT
Ürün durumu
Active
FET Tipi
N-Channel
Teknoloji
MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Voltajına Boşaltma (Vdss)
60 V
Akım - Sürekli Drenaj (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Sürücü voltajı (maks rds açık, min rds açık)
4.5V, 10V
Rds Açık (Maks) @ Kimlik, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Kimlik
2.4V @ 250µA
Kapı Şarjı (Qg) (Maks) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Maks.)
±20V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Maks) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET Özelliği
Standard
Güç Dağılımı (Maks.)
3W (Tc)
Çalışma sıcaklığı
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj Tipi
Surface Mount
Tedarikçi Cihaz Paketi
8-SOP
Paket / Kutu
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Veri Sayfası ve Belgeler
Veri Sayfaları
Ek Bilgi
Standart Paket
4,000
Diğer İsimler
3141-GT110N06SDKR
3141-GT110N06SCT
3141-GT110N06STR
4822-GT110N06STR
Çevresel ve İhracat Sınıflandırması
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Durumu
REACH Unaffected
ECCN (Avrupa Merkez Bankası)
EAR99
HTŞ
8541.29.0095
DIGI Sertifikası
İlgili Ürünler
SIR582DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
FDMS86163P-23507X
FET -100V 22.0 MOHM PQFN56
NTTFS080N10GTAG
100V MVSOA IN U8FL PACKAGE