Üretici Ürün Numarası:
IPAN60R650CEXKSA1
Product Overview
Üretici:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Parça Numarası:
IPAN60R650CEXKSA1-DG
Açıklama:
MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
Detaylı Açıklama:
N-Channel 600 V 9.9A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Envanter:
12848044
Teklif İste
Miktar
Minimum 1
Minimum 1
29ia
(*) zorunludur
24 saat içinde sizinle iletişime geçeceğiz
24 saat içinde sizinle iletişime geçeceğiz
GÖNDER
IPAN60R650CEXKSA1 Teknik Özellikler
Kategori
FET'ler, MOSFET'ler, Tek FET'ler, MOSFET'ler
Üretici
Infineon Technologies
Paketleme
Tube
Silsile
CoolMOS™
Ürün durumu
Active
FET Tipi
N-Channel
Teknoloji
MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Voltajına Boşaltma (Vdss)
600 V
Akım - Sürekli Drenaj (Id) @ 25°C
9.9A (Tc)
Sürücü voltajı (maks rds açık, min rds açık)
10V
Rds Açık (Maks) @ Kimlik, Vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Kimlik
3.5V @ 200µA
Kapı Şarjı (Qg) (Maks) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks.)
±20V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Maks) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET Özelliği
-
Güç Dağılımı (Maks.)
28W (Tc)
Çalışma sıcaklığı
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj Tipi
Through Hole
Tedarikçi Cihaz Paketi
PG-TO220-FP
Paket / Kutu
TO-220-3 Full Pack
Temel Ürün Numarası
IPAN60
Veri Sayfası ve Belgeler
Veri Sayfaları
HTML Veri Sayfası
Ek Bilgi
Standart Paket
500
Diğer İsimler
SP001508816
IFEINFIPAN60R650CEXKSA1
2156-IPAN60R650CEXKSA1
Çevresel ve İhracat Sınıflandırması
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL)
Not Applicable
REACH Durumu
REACH Unaffected
ECCN (Avrupa Merkez Bankası)
EAR99
HTŞ
8541.29.0095
DIGI Sertifikası
İlgili Ürünler
FQB6N60CTM
MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
FDS3692
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
FDMC2674
MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP
