Ana Sayfa
Ürünler
Üreticiler
Hakkında DiGi
Bize Ulaşın
Bloglar ve Gönderiler
Teklif İsteği/Teklif
Turkey
Giriş Yap
Seçici Dil
Seçtiğiniz mevcut dil:
Turkey
Aç/Kapat:
İngilizce
Avrupa
Birleşik Krallık
Demokratik Kongo Cumhuriyeti
Arjantin
Türkiye
Romanya
Litvanya
Norveç
Avusturya
Angola
Slovakya
İtalya
Finlandiya
Belarus
Bulgaristan
Danimarka
Estonya
Polonya
Ukrayna
Slovenya
Çekçe
Yunanca
Hırvatistan
İsrail
Karadağ
Rusça
Belçika
İsveç
Sırbistan
Bask dili
İzlanda
Bosna
Macarca
Moldova
Almanya
Hollanda
İrlanda
Asya / Pasifik
Çin
Vietnam
Endonezya
Tayland
Laos
Filipin dili
Malezya
Kore
Japonya
Hongkong
Tayvan
Singapur
Pakistan
Suudi Arabistan
Katar
Kuveyt
Kamboçya
Myanmar
Afrika, Hindistan ve Orta Doğu
Birleşik Arap Emirlikleri
Tacikistan
Madagaskar
Hindistan
İran
Fransa
Güney Afrika
Mısır
Kenya
Tanzanya
Gana
Senegal
Fas
Tunus
Güney Amerika / Okyanusya
Yeni Zelanda
Portekiz
Brezilya
Mozambik
Peru
Kolombiya
Şili
Venezuela
Ekvador
Bolivya
Uruguay
İspanya
Paraguay
Avustralya
Kuzey Amerika
Amerika Birleşik Devletleri
Haiti
Kanada
Kosta Rika
Meksika
Hakkında DiGi
Hakkımızda
Hakkımızda
Sertifikalarımız
DiGi Tanıtım
Neden DiGi
Politika
Kalite Politikası
Kullanım Şartları
RoHS Uyumluluğu
İade Süreci
Kaynaklar
Ürün Kategorileri
Üreticiler
Bloglar ve Gönderiler
Hizmetler
Kalite Garantisi
Ödeme Yolu
Küresel Gönderim
Gönderim Ücretleri
SSS
Üretici Ürün Numarası:
QJD1210SA2
Product Overview
Üretici:
Powerex Inc.
DiGi Electronics Parça Numarası:
QJD1210SA2-DG
Açıklama:
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Detaylı Açıklama:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A 415W Chassis Mount Module
Envanter:
Teklif Talebi Çevrimiçi
12840189
Teklif İste
Miktar
Minimum 1
*
Şirket
*
İletişim Adı
*
Telefon
*
E-posta
Teslimat Adresi
Mesaj
(
*
) zorunludur
24 saat içinde sizinle iletişime geçeceğiz
GÖNDER
QJD1210SA2 Teknik Özellikler
Kategori
FET'ler, MOSFET'ler, FET, MOSFET Dizileri
Üretici
Powerex
Paketleme
-
Silsile
-
Ürün durumu
Obsolete
Teknoloji
Silicon Carbide (SiC)
Konfigürasyon
2 N-Channel (Dual)
FET Özelliği
-
Kaynak Voltajına Boşaltma (Vdss)
1200V (1.2kV)
Akım - Sürekli Drenaj (Id) @ 25°C
100A
Rds Açık (Maks) @ Kimlik, Vgs
17mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (maks) @ Kimlik
1.6V @ 34mA
Kapı Şarjı (Qg) (Maks) @ Vgs
330nC @ 15V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Maks) @ Vds
8200pF @ 10V
Güç - Maks
415W
Çalışma sıcaklığı
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj Tipi
Chassis Mount
Paket / Kutu
Module
Tedarikçi Cihaz Paketi
Module
Temel Ürün Numarası
QJD1210
Veri Sayfası ve Belgeler
Veri Sayfaları
QJD1210SA2 Preliminary Datasheet
Next Generation Power Semiconductors Brief
Ek Bilgi
Standart Paket
1
Çevresel ve İhracat Sınıflandırması
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Durumu
REACH Unaffected
ECCN (Avrupa Merkez Bankası)
EAR99
HTŞ
8541.29.0095
DIGI Sertifikası
İlgili Ürünler
ECH8651R-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH
FDC6320C
MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6
NTLGD3502NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
MCH6604-TL-E
MOSFET 2N-CH 50V 0.25A 6MCPH