2SK3906(Q)
Üretici Ürün Numarası:

2SK3906(Q)

Product Overview

Üretici:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Parça Numarası:

2SK3906(Q)-DG

Açıklama:

MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
Detaylı Açıklama:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P(N)

Envanter:

12891357
Teklif İste
Miktar
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
4W2K
(*) zorunludur
24 saat içinde sizinle iletişime geçeceğiz
GÖNDER

2SK3906(Q) Teknik Özellikler

Kategori
FET'ler, MOSFET'ler, Tek FET'ler, MOSFET'ler
Üretici
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketleme
-
Silsile
-
Ürün durumu
Obsolete
FET Tipi
N-Channel
Teknoloji
MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Voltajına Boşaltma (Vdss)
600 V
Akım - Sürekli Drenaj (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Sürücü voltajı (maks rds açık, min rds açık)
10V
Rds Açık (Maks) @ Kimlik, Vgs
330mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Kimlik
4V @ 1mA
Kapı Şarjı (Qg) (Maks) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Maks.)
±30V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Maks) @ Vds
4250 pF @ 25 V
FET Özelliği
-
Güç Dağılımı (Maks.)
150W (Tc)
Çalışma sıcaklığı
150°C (TJ)
Montaj Tipi
Through Hole
Tedarikçi Cihaz Paketi
TO-3P(N)
Paket / Kutu
TO-3P-3, SC-65-3
Temel Ürün Numarası
2SK3906

Ek Bilgi

Standart Paket
50

Çevresel ve İhracat Sınıflandırması

Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Avrupa Merkez Bankası)
EAR99
HTŞ
8541.29.0095
DIGI Sertifikası
İlgili Ürünler
toshiba-semiconductor-and-storage

TPH1R712MD,L1Q

MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK5A65DA(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TPHR9003NL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP

diodes

DMN1004UFV-7

MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333