Üretici Ürün Numarası:
RN2712JE(TE85L,F)
Product Overview
Üretici:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Parça Numarası:
RN2712JE(TE85L,F)-DG
Açıklama:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Detaylı Açıklama:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
Envanter:
3995 Adet Yeni Orijinal Stokta
12889588
Teklif İste
Miktar
Minimum 1
Minimum 1
sUiU
(*) zorunludur
24 saat içinde sizinle iletişime geçeceğiz
24 saat içinde sizinle iletişime geçeceğiz
GÖNDER
RN2712JE(TE85L,F) Teknik Özellikler
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolar Transistör Dizileri, Önceden Bias Edilmiş
Üretici
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketleme
Tape & Reel (TR)
Silsile
-
Ürün durumu
Active
Transistör Tipi
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Akım - Kollektör (Entegre) (maks.)
100mA
Gerilim - Kollektör Emitör Arızası (Maks.)
50V
Direnç - Taban (R1)
22kOhms
Direnç - Verici Tabanı (R2)
-
DC Akım Kazancı (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Doygunluğu (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Akım - Kollektör Kesme (Maks.)
100nA (ICBO)
Frekans - Geçiş
200MHz
Güç - Maks
100mW
Montaj Tipi
Surface Mount
Paket / Kutu
SOT-553
Tedarikçi Cihaz Paketi
ESV
Temel Ürün Numarası
RN2712
Veri Sayfası ve Belgeler
Veri Sayfaları
Ek Bilgi
Standart Paket
4,000
Diğer İsimler
RN2712JE(TE85LF)CT
RN2712JE(TE85LF)TR
RN2712JE(TE85LF)DKR
Çevresel ve İhracat Sınıflandırması
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Avrupa Merkez Bankası)
EAR99
HTŞ
8541.21.0095
DIGI Sertifikası
İlgili Ürünler
RN4991FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
RN2902FE(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN1502(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
