Üretici Ürün Numarası:
TPN1110ENH,L1Q
Product Overview
Üretici:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Parça Numarası:
TPN1110ENH,L1Q-DG
Açıklama:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Detaylı Açıklama:
N-Channel 200 V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Envanter:
34748 Adet Yeni Orijinal Stokta
12891567
Teklif İste
Miktar
Minimum 1
Minimum 1
SRjt
(*) zorunludur
24 saat içinde sizinle iletişime geçeceğiz
24 saat içinde sizinle iletişime geçeceğiz
GÖNDER
TPN1110ENH,L1Q Teknik Özellikler
Kategori
FET'ler, MOSFET'ler, Tek FET'ler, MOSFET'ler
Üretici
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Paketleme
Tape & Reel (TR)
Silsile
U-MOSVIII-H
Ürün durumu
Active
FET Tipi
N-Channel
Teknoloji
MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Voltajına Boşaltma (Vdss)
200 V
Akım - Sürekli Drenaj (Id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Sürücü voltajı (maks rds açık, min rds açık)
10V
Rds Açık (Maks) @ Kimlik, Vgs
114mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Kimlik
4V @ 200µA
Kapı Şarjı (Qg) (Maks) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Maks.)
±20V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Maks) @ Vds
600 pF @ 100 V
FET Özelliği
-
Güç Dağılımı (Maks.)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Çalışma sıcaklığı
150°C (TJ)
Montaj Tipi
Surface Mount
Tedarikçi Cihaz Paketi
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Kutu
8-PowerVDFN
Temel Ürün Numarası
TPN1110
Veri Sayfası ve Belgeler
Veri Sayfaları
Ek Bilgi
Standart Paket
5,000
Diğer İsimler
TPN1110ENHL1QCT
TPN1110ENHL1QTR
TPN1110ENHL1QDKR
TPN1110ENH,L1Q(M
Çevresel ve İhracat Sınıflandırması
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Avrupa Merkez Bankası)
EAR99
HTŞ
8541.29.0095
DIGI Sertifikası
İlgili Ürünler
DMN2025UFDF-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
TPH14006NH,L1Q
MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
TK14N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
